Descoperire! Kioxia a dezvoltat produse de memorie flash NAND de 170 de straturi

Nikkei Asian Review a raportat că această nouă memorie NAND a fost dezvoltată în comun cu Western Digital, un partener din SUA, iar viteza de scriere a datelor este de peste două ori mai mare decât cea a produsului de top actual Kioxia (112 straturi).

În plus, Kioxia a instalat cu succes mai multe celule de memorie pe fiecare strat al noului NAND, ceea ce înseamnă că, comparativ cu memoria cu aceeași capacitate, poate micșora cipul cu mai mult de 30%. Cipurile mai mici vor permite o mai mare flexibilitate în construcția de telefoane inteligente, servere și alte produse.

Se raportează că Kioxia intenționează să lanseze noua sa NAND la Conferința internațională a circuitului solid-stat și se așteaptă să înceapă producția în serie încă de anul viitor.

Odată cu creșterea tehnologiei 5G și a transmiterii de date la scară mai mare și mai rapidă, Kioxia speră să atingă cererea legată de centrele de date și telefoanele inteligente. Cu toate acestea, concurența în acest domeniu s-a intensificat. Micron și SK Hynix au anunțat NAND cu 176 de straturi înainte de Kioxia.

Pentru a crește producția de memorie flash, Kioxia și Western Digital intenționează să construiască o fabrică de 1 trilion de yeni (9,45 miliarde de dolari) în Yokkaichi, Japonia în această primăvară. Scopul lor este de a deschide primele linii de producție în 2022. În plus, Kioxia a achiziționat și multe fabrici de lângă fabrica Kitakami din Japonia, astfel încât să poată extinde capacitatea de producție după cum este necesar în viitor.