Conform unui raport TechInsights, HBM este un dispozitiv DRAM cu stivuire 3D, care oferă o lățime de bandă ridicată și canale largi, ceea ce îl face ideal pentru aplicații care necesită performanțe ridicate, eficiență energetică, capacitate mare și latență scăzută.Aceste aplicații includ calcule de înaltă performanță (HPC), GPU-uri de înaltă performanță, inteligență artificială și centre de date.TechInsights prezice că dispozitivele HBM4 viitoare (2025-2026) și dispozitivele HBM4E (2027-2028) vor avea capacități de 48 GB până la 64 GB, cu stive de 16 înalți și lățimi de bandă de 1,6TB/s sau mai mari.
Tehnologia HBM a înregistrat o evoluție rapidă în lățimea de bandă, crescând de la aproximativ 1 Gbps în HBM Gen1 și 2 Gbps în HBM Gen2 la 3,6 Gbps în HBM2E, 6,4 Gbps în HBM3 și 9,6 Gbps în HBM3E.Pentru dispozitivele Gen1 și Gen2 HBM, SK Hynix a folosit metoda TC-NCF pentru stivuirea cipurilor HBM DRAM.Pentru Gen3 și Gen4, au trecut la procesul MR-MUF.SK Hynix a optimizat în continuare aceste tehnologii și dezvoltă acum un proces avansat de MR-MUF pentru Gen5 pentru a îmbunătăți gestionarea termică.TechInsights anticipează că viitoarele dispozitive Gen6 HBM4 ar putea combina acest proces cu tehnici de legare hibride emergente.
Pentru a aborda provocările de disipare termică, dispozitivele HBM utilizează soluții TC-NCF și MR-MUF.Metoda TC-NCF implică aplicarea materialului cu film subțire după fiecare stivuire a cipurilor, în timp ce metoda MR-MUF interconectează toate cipurile stivuite vertical printr-un singur proces de încălzire și lipire.Pentru soluțiile HBM cu stivă mai mare, cum ar fi HBM4E, HBM5 și nu numai, TechInsights sugerează că noile abordări, cum ar fi legătura hibridă, pot fi necesare pentru a aborda aceste provocări în mod eficient.