SK Hynix a anunțat că primul NAND din lume cu 128 straturi 4D NAND va fi vândut în a doua jumătate a anului.

SK hynix a anunțat pe 26 că va produce în premieră mondială prima memorie flash TTT4DNAND de 1Tb (Terabit) de 128 de straturi și intenționează să înceapă vânzările în a doua jumătate a anului.

Aceasta este lansarea SK Hynix de 4DNAND în 96 de straturi în luna octombrie a anului trecut și va lansa din nou produse noi după 8 luni. Potrivit mass-media coreeană "coreeană Daily", SK hynix a dezvoltat un nou produs pentru proiectarea TLC (3 biți per unitate celulară), aplicând gravarea verticală, formarea de particule de film multistrat, designul buclă de putere redusă și alte tehnologii pentru a crea un teanc de 3600. Peste 100 de milioane de granule NAND și produse de 1Tb cu 128 de straturi nu numai că ating numărul cel mai mare de stive din industrie, dar depășesc și NAND-ul de 90 de straturi al Samsung Electronics.

Deși există 96 de straturi de specificații QLC1Tb, performanța și viteza de procesare a TLC sunt mai bune decât QLC. Pe piața NAND, cota de piață a produselor TLC este de 85%. Prin urmare, SK hynix a dezvoltat NAND de mare capacitate pentru prima dată cu tehnologia TLC, care a atras atenția din partea lumii exterioare.

În special, deși produsul adaugă 32 de straturi la produsul original NAND cu 96 de straturi, procedeul de proces este redus cu 5%, iar NAND-ul cu 4 straturi cu 128 de straturi are o productivitate mai mare pe placă de 40 de biți decât NAND-ul de 4D cu 96 de straturi , chiar dacă tehnologia PUC nu este utilizată (circuite periferice), productivitatea la nivel de biți de 4DNAND cu 128 de straturi poate fi în continuare crescută cu mai mult de 15%. Potrivit SK hynix, această metodă poate economisi costul conversiei noului proces, care poate fi redus cu 60% în comparație cu costul investiției de conversie de generația anterioară. Termenul "coreeană zilnică" a subliniat că aceasta este utilizarea SK Hynix a platformei de proces 4DNAND dezvoltată în octombrie anul trecut și optimizarea rezultatelor procesului.

SK hynix intenționează să înceapă să vândă memorie flash de 4D NAND cu 128 straturi în a doua jumătate a anului. Potrivit SK hynix, produsul poate atinge o viteză de transmisie a datelor de 1400Mbps, chiar și în medii de joasă tensiune (1.2V), potrivite pentru soluții mobile de înaltă performanță, consum redus de energie și SSD (Solid State Drive).